NR7 6000P光刻胶厂家-「多图」

光刻胶编码

hs编码:

3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]

芯片光刻的流程详解二

所谓光刻，根据---的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用---和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、sos中的蓝宝石。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂或称光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

nr9-3000py

四、对准alignment

光刻对准技术是---前的一个重要步骤作为光刻的三大---之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号--- ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。