微弧氧化膜层生长时,首先在基体表面发生化学反应,生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时,膜层厚度会进一步增加,厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时,膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿,产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融,基体元素由于处在富氧环境中,将形成氧化物。同时由于是在电解液中,熔融物将瞬间冷凝,在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成,将导致工作电压进一步升高,膜层再次被击穿,膜层厚度进一步增加。周而复始,膜层得以生长。
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为探究工艺参数对铝合金微弧氧化膜层中蛇纹石含量的影响,采用微弧氧化技术,分别在双向恒压、单向恒压和单向恒流模式下,在添加蛇纹石微纳米颗粒的电解液中进行试验,在zl109铝合金表面原位生长陶瓷层。采用sem、eds及xrd对膜层进行分析。
结果表明:在单向恒压和单向恒流模式下制得的微弧氧化膜层的蛇纹石含量相比双向恒压模式分别提高了92%和113%;
微弧氧化工艺流程
1、预处理
预处理的原因是由于铝、铁等合金长时间放置在空气中,表面易发生氧化,生成一层几个微米的钝化膜,同时,其表面又极易吸附周围环境中的杂质,形成表面吸附层。为---微弧氧化后制得陶瓷膜的综合力学性能,在微弧氧化处理前要对试样表面进行预处理。
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