淮北两酸抛光配方即时留言「昆山韩铝」

cmp技术的概念是1965年由manto提出。该技术是用于获取高的玻璃表面，如望远镜等。1988年ibm开始将cmp技术运用于4mdram 的制造中，而自从1991年ibm将cmp成功应用到64mdram 的生产中以后，cmp技术在各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，cmp通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛-度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高的表面抛光。

温度.对化学抛光的效率和表面有重要的影响.温度高抛光加速,但产生较多的气体,有可能产生气体缺陷.对于新配制的化学抛光槽液,温度不宜太高；若溶铝量达到平衡时操作温度宜高些.随着溶铝量的增加,要维持一定的抛光效率就要提高槽液的温度,如果槽液温度超过设定的上限温度105℃,仍不能得到满意的光亮度,应根据化验结果调整槽液浓度或相对密度.此外,还要注意保持槽液各处温度的均匀性.

基本原理：

金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的组织