在半导体领域的应用:碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多---的优---能和广泛的应用前景,被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料,又称高温半导体材料,主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用品种,都属α-sic。黑碳化硅含sic约98。5%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。绿碳化硅含sic99%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于研磨汽缸套和精磨高速具。
此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从ra32~0。16微米一次加工到ra0。04~0。02微米。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途。
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-sic。黑碳化硅含sic约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工。
利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能---、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、炉用弧型板、热电偶保护管等。
高温下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅电极、碳化硅模具和碳化硅制品三种,这三种材料中的碳化硅在高温下,碳化硅很容易发生氧化燃烧反应,造成材料表面胶碳层气孔率增加和结构疏松,影响使用寿命。碳化硅电极因高温电弧会发生部分升华氧化,会造成碳化硅制品的不断消耗,甚至发生断裂、破损。而碳化硅制品损耗率会达到40—60%。
碳化硅制品经过涂料浸渍涂刷处理后,其高温zs-1011碳化硅过度涂料液能渗入到碳化硅制品的气孔中,排空碳化硅制品里残留的空气,在碳化硅制品气孔及碳化硅制品表面形成一层保护膜。正是这层保护膜能有效的隔绝空气直接与碳化硅制品接触而发生氧化反应,不会在高温巨变中开裂,脱落,从而能有效的---碳化硅制品的氧化,延长碳化硅制品的使用寿命。
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