绍兴肖特基二极管符号-「强元芯电子」

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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，sbd与pn结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。

asemi肖特基二极管参数的研发拓展：

asemi研制的mbr60100pt  mbr60150pt  mbr60200pt，是专门为在输出12v~24v的smps中替代高频整流fred而设计的。像额定电流为2×8a的大电流高频率型sbd，起始电压比业界居---水平的200v/2×8afred(如strr162ct)低0.07v(典型值为0.47v)，导通电阻rd(125℃)低6.5mω(典型值为40mω)，导通损耗低0.18w(典型值为1.14w)。