肖特基二极管常见型号在线咨询「多图」

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asemi新型高压sbd的结构和材料与传统sbd是有区别的。传统sbd是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(si)或(gaas)。由于电子比空穴迁移率大，为获得-的频率特性，故选用n型半导体材料作为基片。为了减小sbd的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在n+衬底上外延一高阻n-薄层。

采用这种结构的sbd，击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散-，使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍，达到150v和200v。在正向偏置时，高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v，而肖特基势垒的结电压仅约0.3v，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

schottky barrier diode:肖特基势垒二极管，简称：sb,比如：sb107,sb1045ct……

　　schottky barrier diode:也有简写为：sbd来命名产品型号前缀的。但sbd不是利用p型半导体与n型半导体接触形成pn结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

　　因此，sbd也称为金属-半导体接触二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。