NR9 3000P光刻胶厂家免费咨询「赛米莱德」
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体-材料,随后被改进运用到pcb板的制造,并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%,耗时占整个芯片工艺的40%~60%,是半导体制造中-的工艺。
以半导体光刻胶为例,在光刻工艺中,光刻胶被均匀涂布在衬底上,经过-(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺,将掩膜版上的图形转移到衬底上,形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着ic集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求,半导体用光刻胶通过不断缩短-波长以-分辨率,芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别,光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线436nm、i线365nm、krf248nm、 arf193nm、f2157nm,以及达到euv(<13.5nm)线水平。光刻胶市场据统计资料显示,2017年中国光刻胶行业产量达到7。
目前,半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、krf、arf四类光刻胶,其中,g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。krf和arf光刻胶-基本被日本和美业所垄断。
光刻胶
光增感剂
是引发助剂,能吸收光能并转移给光引发剂,或本身不吸收光能但协同参与光化学反应,起到提高引发效率的作用。
光致产酸剂
吸收光能生成酸性物质并使-区域发生酸解反应,用于化学增幅型光刻胶。
助剂
根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。
主要技术参数
分辨率resolution
是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来cd,criticaldimension衡量分辨率。
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