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光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——semi标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了mos标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别ic的制作要求。其中，semi标准更早取得范围内的-。nr9-3000py相对于其他光刻胶具有如下优势：-优异的分辨率性能-快速地显影-可以通过调节-能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度-耐受温度100℃-室温储存保质期长达3年。

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四、对准alignment

光刻对准技术是-前的一个重要步骤作为光刻的三大-之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号- ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。重点支持的-领域2015中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术”。

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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶-的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其-干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，hmds，光刻胶疏水，sio2 空气中，si-oh, 表面有，亲水性，使用hmds h2c6si2nh 涂覆，熏蒸  与 si –oh结合形成si-o-si(ch2)2，与光刻胶相亲。5-1um，3,前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。

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光刻胶稳定性

化学稳定性：在正常储存和操作条件下，在密闭容器中室温稳定。

避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。

不相容的其他材料: -。

光刻胶毒理资料

淡黄色液体，气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的-。可以通过皮肤吸收而引起全身性的-。液体是可燃的。

毒性数据

皮肤：可以通过皮肤吸收而引起全身性的-，类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的-或皮炎。

眼睛：引起眼睛发炎。

吸入：吸入时可能有害。引起呼吸道-。蒸气可能导致困倦和-。

摄食：吞食有害。

-效应：肝和损害，以及动物实验中有--和gu髓有影响。