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因为强电解质实际上是几乎完全电离的。溶液中不存在电力平衡问题。由于强电解质溶液中除非稀释溶液中存在-的离子相互作用,强电解质电离度并不反映其电离的真实情况。因而,称强电解质的电离度为表观电离度。
强电解质强酸:hcl、hbr、hi、h2so4、hno3、hclo3、hclo4等.强碱:naoh、koh、ba(oh)2、ca(oh)2等.绝大多数可融性盐:如nacl、(nh4)2so4、fe(no3)3等弱电解质弱酸:hf、hclo、h2s、h2so3、h3po4、h2co3等弱碱:nh3·h2o、fe(oh)3、al(oh)3、cu(oh)2等.少数盐:hgcl2、等水(极弱的电解质)
美国加州纳米技术研究院已经成功使用mos2制造出了辉钼基柔性微处理芯片,这个微芯片只有同等硅基芯片的20%大小,功耗极低,而辉钼制成的晶体管在待机情况下的功耗为硅晶体管的十万分之一,而且比同等尺寸的石墨烯电路廉价,其电路也有很强的柔性,极薄,可以附着在人体皮肤之上。
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