随州肖特基二极管特性价格合理「强元芯电子」

mbr1045ct采用俄罗斯米克朗(mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为---，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料---浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。

ul为美国安规，是上安全试验和鉴定机构整流桥

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激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料

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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由asemi------为您解析这一问题。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(sio2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较h-层要高100%倍。

采用这种结构的sbd，击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散---，使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍，达到150v和200v。在正向偏置时，高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v，而肖特基势垒的结电压仅约0.3v，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。