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低本底αβ测量仪组成

中核控制系统工程有限公司生产、销售低本底，以下信息由中核控制系统工程有限公司为您提供。

双路低本底αβ测量仪的电子线路部分和铅室为一体化结构，电子线路部分在机柜上部，铅室在机柜下部，整体机柜规格长600mm×宽600mm×高1250mm。一体机柜设计，使系统高度集成，连接更-，占地空间小。

主探测器

仪器的主探头是由自研自产的低本底双闪探测器和低噪声光高灵敏度的电倍增管组成。闪烁体面积：15.896cm2(φ45mm)。低本底双闪探测器对αβ粒子探测效率较高，本底低。其硬件组成如图1所示，主要由6路探头矩阵(4路主探头和2路反符合探头)、放大矩阵、比较器矩阵、可编程逻辑器件cpld、mcu、rs232接口、高压及高压控制电路和低压电源等部分组成。cr105型光电倍增管由仪器高压电源提供正高压。样品盘是由 0.5mm不锈钢材料做成碟形盘，深2mm，直径45mm。样品盘可进行固体样品测量。

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低本底测量仪主要技术指标

主要技术指标

仪器对于90sr-90yβ源活性区φ20mm的2π探测效率比***50％时， 本底≤0.15cm-2min-1；

仪器对于241amα源活性区φ25mm的2π探测效率比***80％时， 本底≤0.005cm-2min-1；

α／β交叉性能：α进入β道的计数比＜3％对241am， β进入α道的计数比＜0.5％对于90sr-90y；

长期稳定性

重复性：仪器连续通电8小时，探测效率变化＜±10％；

本底稳定性：在8小时的测量时间内，本底计数变化应在(nb±3σ)的范围内,其中nb为本底计数的平均值，σ为本底计数的标准误差。

仪器灵敏度：α***5×10-3bq；β***1×10-2bq

耐压绝缘度＞1500v；

绝缘电阻***2mω；

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低本底半导体探测器

金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ～ 450 mm2，抽空使用时能量分辨率对 5. 5 mev好可达到 13～30 kev。可进行打印格式设置，如：页边距、页面大小、报告份数、行间距等设置。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，一般只能采用较大面积如直径 2. 5 cm 左右，而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽fwhm一般可能要大于 50 ～60 kev。