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镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的-破坏效应。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，-地满足了各种新型电子元器件发展的需求。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。

金属靶材材质分为：

镍靶、ni、钛靶、ti、锌靶、zn、铬靶、cr、镁靶、mg、铌靶、nb、锡靶、sn、铝靶、al、铟靶、in、铁靶、fe、锆铝靶、zral、钛铝靶、tial、锆靶、zr、铝硅靶、alsi、硅靶、si、铜靶cu、钽靶t、a、锗靶、ge、银靶、ag、钴靶、co、金靶、au、钆靶、gd、-靶、la、钇靶、y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、nicr、铪靶、hf、钼靶、mo、铁镍靶、feni、钨靶、w等。稀土金属制取(preparationofrareearthmetal),将稀土化合物还原成金属的过程。