东阳肖特基二极管应用-「强元芯电子」

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肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200v。

由于sbd的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于sbd比pn结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比pn结二极管。

sbd的结构及特点使其适合于在低压、da电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如x波段、c波段、s波段和ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在ic中也常使用sbd，像sbd?ttl集成电路早已成为ttl电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下其中为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码:

一，根据-、-间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，、脚为两个阳极，脚为公共阴极。

二，因-、-之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315v、0.33v，均低于手册中给定的允许值vfm(0.55v)。

什么是肖特基二极管？有何特点意义？

sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，仅约100v，以致于-了其应用范围。像在开关电源smps和功率因数校正pfc电路-率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管fred和超快速恢复二极管ufrd。目前ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，-不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温-，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的-。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。