单晶硅的加工工艺

单晶硅分：加料—***熔化—***缩颈生长—***放肩生长—***等径生长—***尾部生长
１加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的ｎ或ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
２熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并---真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度１４２０℃以上，将多晶硅原料熔化。
３缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小４－６ｍｍ由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
４放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
５等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
６尾部生长：在长完等径部分之后，如果---将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升炉室
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2 冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
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