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特点
1在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层较好。
采用等离子和激光辅助技术可以---地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，化学气相沉积设备，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，化学气相沉积设备厂家，甚至是盲孔的工件。
7沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以---其结构。
8可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片不超过φ6的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸ф340mm×160mm；
3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，化学气相沉积设备，采用ff160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。
气体：---气/氧气/四---碳/六---硫
12. 刻蚀速率
sio2：***0.5μm/min
si：***1μm/min
光刻胶：***1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%φ4英寸范围内
优于±6%φ6英寸范围内
14. 选择比
cf4的选择比为50，化学气相沉积设备多少钱，
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由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：
虚拟测量virtual metrology
等离子刻蚀过程控制示意图
光谱测量
等离子阻抗监控
终端探测
远程耦合传感
控制方法
run-to-run 控制r2r
模型预测控制mpc
人工神经网络控制
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