离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显-，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，由于刻蚀速度快、定向性好，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，还可以刻蚀下层的氮化硅层。
3 封装的分类半导体(包括集成电路和分立器件)其芯片的封装已经历了好几代的变迁，从dip、sop、qfp、pga、bga到mcp再到sip，技术指标一代比一代-，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，晶圆腐蚀台，耐温性能越来越好，晶圆腐蚀设备，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，-性提高，使用方便等等。封装(package)可谓种类繁多，即它的优点和不足之处，当然其所用的封装材料、封装设备、封装技术根据其需要而有所不同。
芯片线宽的缩小对刻蚀本身的准确度以及重复性有了更为严苛的要求。多次刻蚀要求每一个步骤的准确度足够高，才能使得整体生产的良率保持在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，晶圆酸洗机，还对每一步的刻蚀有了更高的要求。端制程占比-的大背景下，晶圆，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变化的情况下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将-。
|
登录后台
