刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化 学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地 掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格 的工艺流程控制。
化学清洗槽也叫酸槽/化学槽，主要有hf,,h2so4,h2o2，hcl等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有di清洗。ipa是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
半导体晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子注入、热处理等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中的三类设备。根据gartner统计，2021年刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约21.59%、19.19%和18.52%。刻蚀设备已经成为半导体晶圆制造中的关键设备，在半导体制造中的重要性-。
腐蚀机对功率半导体器件中半导体芯片进行腐蚀加工均采用人工操作，即先人工将半导体芯片除台面外的两面涂黑蜡保护，再人工将半导体芯片台面进行腐蚀、清洗，人工用有机物去除黑蜡、清洗、烘干。现有人工对半导体芯片台面进行腐蚀不仅存在手工涂蜡浪费人力及有机物的问题，而且还存在不能在保持芯片干净的情况下直接进行烘干的问题。
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