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多源有机无机蒸发系统

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主要用途：

用于纳米级单层及多层金属膜、 半导体膜等新材料的制备。广泛应用 于大专院校的薄膜材料科研。

系统组成:

由真空室、蒸发源、样品台、 真空测量、膜厚测试、电控系统组成。

技术指标：

---真空度5.0×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa

真空室：d形真空室，尺寸350× 380mm 

样品台：尺寸为4英寸厚度3mm的平面样品；

电极：数量：4支水冷结构；直径φ20㎜

样品基片:，基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃

4套挡板系统：基片挡板与源挡板；靶挡板共有3套， 样品挡板１套

石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999? 

可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。

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多源蒸发系统介绍

沈阳鹏程真空技术有限责任公司供应电阻热蒸发镀膜产品，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。

主要用途：　　

系统主要用来生长el oel分子有机电致发光器件薄膜的研究工作　　

系统组成:　　

该类设备为双室带手套箱结构的有机、无机、多源有机、无机气相分子沉积设备，钙钛矿镀膜设备批发，采用直线式结构，钙钛矿镀膜设备，由一个金属材料生长、氧化物生长室、一个有机材料生长室和一个手套箱组成，钙钛矿镀膜设备价格，金属材料生长和氧化物生长室以及进样室/氧化物生长室之间通过空气锁联接，样品通过带远程手控盒功能的电动磁力耦合装置在两个生长室之间手动传递。可选手套箱。　　

技术指标：　　

有机蒸发室：经烘烤6小时左右，并连续抽气真空优于8.0×10 pa　　无机蒸发室：经烘烤6小时左右，并连续抽气真空优于6.6×10 pa　　蒸发室：方形真空室，尺寸：450×400×350mm　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa短时间暴露-并充干燥氮气后开始抽气　　样品尺寸：50×50mm 或100×100mm　　设有掩膜板和掩膜库金属材料/氧化物生长室可放置1-4个热阻蒸发舟和一个掩膜库有机材料生长室可放置1-8个高温或低温束源炉石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，可选手套箱。