计中牵扯到 2 个主要参数lab、 k，需同时满足目标值，所以将 lab 进行优化设定，
而 k 值通过 sweep 生成多个拓扑结构进行选取。
1 先将turns设置为 3，直接，看看默认这些物理参数条件下 lab 大概是
多少，结果尽量在目标值 1.5nh 左右， 方便后续优化 sweep 迭代。
2 对 lab 进行优化，选outer radius进行调整，目标值 1.5n， 频率点就默认的
即可。反正看的是全频段结果，在高频时应该感值会增加
3 sweep 设置， 为了得到较多的物理拓扑结构， 选择 2 个物理尺寸进行扫描线
宽 w 和线间距 s，将width和spacing设置为变量 w、 s 后，---ok，
会弹出变量设置对话框。设置 s、w 的起止尺寸和点数注意不要违反 drc rule。
本例中 w 设置 6 个点， s 设置 5 个点，这样会有 30 个拓扑结构， 那么 k 值选择
范围会大些。
4 类型自行选择，本例为了快速，选择的低精度interconnect。也仅生
成 nport 模型，没有勾选集总 pbm 模型。
在 ade 中根据设计要求搭建测试电路， 本例按照理想元器件、 和 peakview 模型进
电路测试比对。 电路中已知的终端电阻 rt=50ω， 负载电容 cl=600ff。
1 理想电路： t-coil 和桥接电容 cb 都是按照理想元器件进行设置。这是在电路设
计时的结果，指标肯定是的。
2 实际电路： t-coil 是 peakview 生成的模型， 通过 instance 调用过来。 而且 tcoil 模型中存在线圈间耦合电容， 所以桥接电容 cb 要扣除这部分， 否则结果有
偏差。 需要在测试时对 cb 进行变量扫描， 来找出值
物理层面降低器件或走线电容比较困难， 需要设法将电容电气特性---掉， 来解决问
题。 kleveland 等-计出分布式 esd 保护系统， 如下图， 一个四段 esd 保护结构+cpw， 这
种结构通过调整 cpw 特征阻抗 z0， 来和源端、 负载端进行阻抗匹配， 避免了早期 esd 大电
容引起的阻抗不连续。 z0 调整不但考虑 cpw 的电容、 电感效应， 还要包括 esd 电容， 具体
计算公式为： z0=sqrtlcpw/cesd+ccpw。
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