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首先在器件和产品的设计中，应充分体现静电防护的思想，在器件内部设置静电防护元件(esd protection device)，尽量使用对静电不敏感的器件以及对所使用的静电放电敏感(esds, esd-sensitive)器件提供适当的输入保护，使其更合理地避免esd的伤害。mos工艺是集成电路制造的-技术, 以金属－氧化物－半导体场效应管为基本构造元件。由于mos器件中场效应管的栅、源极之间是一层亚微米级的绝缘栅氧化层，故其输入阻抗通常大于1000m ，并且具有5pf左右的输入电容，极易受到静电的损害。因此，在mos器件的输入级中均设置了电阻-二极管防护网络，串联电阻能够-尖峰电流, 二极管则能-瞬间的尖峰电压。器件内常见的防护元件还有：电容、双极晶体管、可控硅整流器scr，见图1等, esd发生时，它们在受保护器件之前迅速作出反应，将esd的能量吸收、释放，使被保护器件所受冲击大为降低。正常情况下，防护元件在其一次崩溃(first breakdown)区内工作，不会受到esd损伤，一旦外加电压或电流过量(overstress)，进入二次崩溃(secondary breakdown)区的防护元件将受到不可逆转的损害，失去对器件的保护作用。

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目前许多厂家已经研制出具有内部保护电路的器件，一系列相应的测试标准也已颁布执行，如maxim公司研制的模拟开关max4551,具有 15kv的esd保护功能，它们必须在正常工作、停机模式和断电状态下,依据iec1340-3-1人体模型见图2、iec 1000-4-2空气间隙放电、iec 1000-4-4快速瞬变(ftb)放电等标准，接受多项模拟esd测试，-符合iec1000－4－2 level 4 的要求。整机产品设计时，可在esds器件容易受损的管脚处例如vcc和i/o管脚，根据被保护电路的电特性、可用的电路板空间决定加入抑制电路或隔离电路。