LPCVD 氧化炉 扩散炉 改造 翻-成本高-

青岛赛尔微电子有限公司为您提供lpcvd 氧化炉 扩散炉 改造 翻-成本高-。按照客户要求 ，结合机台状况，给出切实可行的方案， 达到客户功能预期并节省成本。翻新后的机台可达到原厂机台性能，可以长期稳定的用于生产。
扩散炉翻新技术指标
1.1工作温度：200～1300℃
1.2适用硅片尺寸：4～6英寸
1.3装片数量：正片100～300片/管
1.4炉体恒温区：300～1000mm
1.5恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
1.6单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
1.7zui大可控升温速度：15℃/min
1.8zui---温速度：5℃/min900～1300℃
1.9气源系统：进口配件、自动轨道焊接
1.10控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机windows 系统，中文操作界面，方便简洁
1.11 氧化工艺：片内≤±2%，片间≤±3%，批间≤±3%，
p预扩：方块电阻 6~20，片内片间≤±2.5%，片间≤±4%
可选配置：
1.1工艺管数量：1～4管
1.2工作台：有净化/无净化
1.3进出舟模式：手动送片/自动送片悬臂模式、软着陆模式
1.4适用工艺：氧化干氧、湿氧、扩散磷扩、硼扩、合金氮气、氮氢、退火等
1.5是否配置氢氧合成外点火炉
1.6是否配置氢氧合成硬件保护装置
1.7是否配置氢气燃烧装置
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