半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 射频器件

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sic碳化硅衬底片主要分为导电型和半绝缘型，导电型sic碳化硅衬底以n型衬底为主，主要用于外延gan基led等光电子器件、sic碳化硅基电力电子器件等，半绝缘型sic碳化硅衬底主要用于外延制造gan高功率射频器件。
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sic碳化硅晶体结构决定了其---的物理，相对于si和gaas，sic碳化硅拥有更为---的物理性质；禁带宽度大，接近于si的3倍，---器件在高温工作下的长期---；击穿场强高，是si的1o倍，---器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。
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