福建氧化锌晶体供应商常用指南「在线咨询」

氧化锌zno是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌zno的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌zno晶体体单晶。目前,氧化锌zno晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌zno单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(eg 3. 37ev)大。此外，与其它半导体材料(gan :21mev、znse :20mev)相比， 其激子结合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待将其用作-的发光器件材料。

氧化锌zno晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能ibⅵa族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌zno晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。zno晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得zno晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。

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