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铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件

(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观品质.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷,以-产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少,铝合金型材间距要加大,倾斜度要加大,使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积,避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大,化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上,有可能使铝合金型材或导电杆上浮,铝合金型材浮出液-分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分,造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.-时,减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料,-装饰面上的气体尽快逸出.

极氧化铝板化学抛光中出现的缺陷及其纠正措施是在生产的发展过程中不断总结完善的。白色附着物。该缺陷的形貌为化学抛光后的铝材表面上附着有一层白色的沉积物，且分布不均匀，附着物底部的铝材表面有可能被腐蚀。通常，该缺陷是因为化学抛光槽液中溶铝量太高所致，如果化学抛光槽液的相对密度在1.80以上，可以得到进一步证实。则需采取措施调整槽液中的溶铝量到正常的范围内。

1. led行业led芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度-，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。cmp抛光液利用“软磨硬”的原理-的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着led行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。

半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和-规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

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