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这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片衬底片抛光沿用机械抛光、例如氧-、氧化---抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其---的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术cmp chemical mechanical polishing 取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛-率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛-率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

硅材料抛光液、蓝宝石抛光液、抛光液、铌酸锂抛光液、锗抛光液、集成电路多次铜布线抛光液、集成电路阻挡层抛光液、研磨抛光液、电解抛光液、不锈钢电化学抛光液、不锈钢抛光液、石材纳米抛光液、氧化铝抛光液、铜化学抛光液、铝合金抛光液、镜面抛光液、铜抛光液、玻璃研磨液、蓝宝石研磨液等，本品用于304、321、316、201、202、420、430等各种型号的不锈钢电解抛光时使用，使用成本低，效果明显，可达镜面光亮效果，不锈钢抛光后光泽-、美观大方、增加了产品的附加值。

基本原理：

金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的组织