低压降肖特基二极管ASEMI-
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肖特基(schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称sbd),它是一种低功耗、速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
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根据万用表示数分析,肖特基二极管测试结论如下其中为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码:
一,根据-、-间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,、脚为两个阳极,脚为公共阴极。
二,因-、-之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。
三,内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315v、0.33v,均低于手册中给定的允许值vfm(0.55v)。
采用这种结构的sbd,击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散-,使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍,达到150v和200v。在正向偏置时,高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v,而肖特基势垒的结电压仅约0.3v,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。
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