NR9 3000P光刻胶厂家放心- 北京赛米莱德

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三、光刻胶涂覆photoresist coating

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或b注入的膜版。光刻胶国际化发展业内人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(sio2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了---线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。a我们建议使用futurrexpr1-500a,它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，反射比较少，不需要hmds，rie后去除容易等~4．求助，耐高温的光阻是那一种。在mems中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占------，随着vlsi ic和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。到1961年光刻法被用于在si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了x-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。

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四、对准alignment

光刻对准技术是---前的一个重要步骤作为光刻的三大---之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。正胶pr1-2000a1技术资料正胶pr1-2000a1是为---波长为365或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。从对准信号--- ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。

11．请教~有没有同时可以满足rie

process 和lift-off

process的光阻，谢谢！

a 我们使用futurrex

nr1-300py来满---上工艺的需求。

12．futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

a nr9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

a nr9-8000因为有---的ar比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作coior

filter?

a 用于silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在filter上面加热溶解pr1-2000s光阻，microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

a 美国futurrex公司，专门生产应用化学品的，可以为平坦化的材料提供pc3-6000和pc4-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布protective

coating，那种适合？？

a 美国futurrex，pc4-10000。

17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

a 我们公司是使用futurrex

pc3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以---下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与mems应用的光刻胶吗？

a nr4-8000p可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底nr9-8000p是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

a 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，nr4-8000p是专门为光波导图案应用进行设计的产品。