风力发电用IGBT测试仪价格厂家供应 华科IGBT测试仪

大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备-运行具有-重要。高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时-加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

5、感性负载

5.1 有效电感 l 100 200 500 1000 μh；

5.2 电流 ic 1000 1000 1000 500 a；

外部电感成阵列的内部连接。外部电感的h值传给pc，以计算电流源的-，-脉宽到1000us。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5ω，5ω，10ω等；

6.2 开启trun-on输出电压 vge+ ： +15v；

6.3 关断trun-on输出电压 vge- ： -15v；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us 单脉冲、双脉冲总时间；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5ω；

7、测量配置

7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器mso，带宽500mhz，垂直分辨率12位adc，4通道；

7.2 高速电流探头；

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , ipeak , eon , pon )；

8.2 关断：turn off (tdoff , tf , eoff , ic , poff)；

8.3 反向恢复 (irr,trr,di/dt,qrr,erec)；

8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100ma；

8.5 短路1200ａmax；

8.6 雪崩；

8.7 ntc(模块)测试：0-20kω；

8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。

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