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导电橡胶能够提供较高的打印密度。但导电橡胶的导电率是-，以致其不能对-充电至较高程度。热压法：ito靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(d)作为填料与橡胶组分(a)混合时，导电橡胶能够得到降低-的物理粘附力的效果，但是不能将-充电至较高程度，因此不能提供足够的打印密度。如上所述，在独立地将填料(b)至(d)与橡胶组分(a)混和时，必须大量使用填料。

平面显示器fpd)这些年来大幅冲击以阴极射线管(crt)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ito靶材的技术与市场需求。如今的ito靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ito薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ito靶材，利用l}irf反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。

超纯金属的检测方法-困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级10克/克、毫微克级10克/克、微微克级10克/克杂质的确定。精铝经过区熔提纯，只能达到5的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起-影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。