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?单体3,4-乙撑二氧-吩(edot)的合成情况
制备单体edot的方法为传统-的”五步合成法”,也是多年来-过的唯y方法。该法从工业角度考虑有几大缺点,比如需要强碱、高温,存在致a物质(1、2一二xyw)等。厚膜电致发光:可经丝网印刷,制得透明电极,例如可用于厚膜电致发光。2004年4月瑞典科学家fredrik von kieseritzky等提出一种x且有效制备edot的方法。
该法通过2,3-二甲y基-1,3--在正-溶剂中、于5~c的条件下与sc1:反应制成3,4-二甲y基s吩,然后用对甲bh酸作催化剂与乙二醇反应制得edot。该法原料-易得、合成简单、条件温和、产率高(60%),非常适合于工业化生产。常见的柔性osc由柔性透明电极flexibletransparentelectrode,fte﹑活性层和低功函金属修饰的阴极组成的三明治结构。这一关键技术的突破将-促进f吩类导电聚合物的发展。
电化学聚-
电化学聚合亦可简称为电解聚合、电聚合或电引发聚合,是指在有适当电解液的电解池里,按一定的电化学方式进行电解,使单体在电极上发生聚合反应。可合成各种导电性聚合物并制备各种结构、性质不同的功能膜,还可在单体聚合的同时进行掺杂。
电化学聚-装置简单、条件易于控制,聚合物膜厚可控、均匀且再现性高,可以通过控制聚合时电流的大小和通电时间来制备比表面积大、厚度和结构可控且多样的薄膜对电极。而且制备的pedot薄膜结构规整、电导率高,同时薄膜与电极的粘结力较强。(zileiwang,shanglongpeng*,etal。但电化学聚-要求基材具有导电性,制作的pedot电,且脆而硬,无法进行大尺寸薄膜制备。
考虑pedot:pss材料本身的特性和硅表面结构光学管理后,硅与背金属电极界面的接触情况成为了制约电池效率提升的主要因素,硅/金属的直接接触会导致界面处形成肖特基势垒,对电子传输的阻碍作用-,同时界面处-的复合造成了载流子的损失。基于此,选用氧化锌作为电子选择性材料,将其用于界面处形成金属-介质-半导体结构,并对氧化锌进行li掺杂调节其功函数进一步减小或消除界面势垒。另外,对硅表面通过本征非晶硅层钝化,这样既能钝化硅又能-电接触。改进或找到一种新的合成方法以提高edot的产率、降低生产成本是当前科研-的主要任务。并结合硅金字塔陷光结构,终实现超过15%的电池转换效率。
导电聚合物的导电机理
聚合物分子导电应具备的-条件是:分子链应该是一个大竹共轭体系(共轭双键或共轭与带有未成键p轨道的杂原子n、s等偶合)与金属导电需要自由电子和供电子运动的轨道一样,聚合物的导电也需要有电荷载体和可供电荷载体自由运动的分子轨道,由于大多数聚合物本身不具有电荷载体,导电聚合物的所必需的电荷载体是由”掺杂”过程提供的。关于掺杂后导电聚合物的导电机理,目前比较成熟的观点可用下图(二)加以简要说明。用途说明光电材料高分子导电化合物,用作电极材料,抗静电剂,光电转化材料等。
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