等离子化学气相沉积设备价格价格合理 沈阳鹏程真空技术
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容,沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积,欢迎新老客户莅临。
一.系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片不超过φ6的刻蚀,可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下:
1.系统采用单室方箱式结构,手动上开盖结构;
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造,真空尺寸为400mm×400×197mm,
内腔尺寸ф340mm×160mm;
3.---真空度:≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后,采用ff160/600分子泵抽气);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 pa.l/s;
系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa,20分钟可达到采用分子泵抽气);
停泵关机12小时后真空度:≤5 pa;
4.采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式;
5.样品水冷:由循环水冷水机进行控制;
7.icp头尺寸:340mm mm,喷淋头与样品之间电极间距50mm;
8. 沉积工作真空:1-20pa;
9. 气路设有匀气系统,真空室内设有---抽气均匀性抽气装置;
10. 射频电源:2台频率 13.56mhz,功率600w,全自动匹配;
11. 6路气体,共计使用6个流量控制器控制进气。
气体:---气/氧气/四---碳/六---硫
12. 刻蚀速率
sio2:***0.5μm/min
si:***1μm/min
光刻胶:***1μm/min
13. 刻蚀不均匀性:
优于±5%φ4英寸范围内
优于±6%φ6英寸范围内
14. 选择比
cf4的选择比为50,
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售化学气相沉积,我们公司坚持用户为-,想用户之所想,急用户之所急,以诚为本,讲求信誉,以产品求发展,以求生存,我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
1、适用范围:适合于各单位实验室、---院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点:应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备,兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。
3、主要用途:主要用来制作sio2、si3n4、非晶si:h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。
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等离子体内的化学反应
由于辉光放电过程中对反应气体的激励主要是电子碰撞,因此等离子体内的基元反应多种多样的,而且等离子体与固体表面的相互作用也非常复杂,这些都给pecvd技术制膜过程的机理研究增加---度。如果经过检验,任何一个边沿没有刻蚀合格,则这一批硅片需要重新装片,进行刻蚀。迄今为止,许多重要的反应体系都是通过实验使工艺参数较优化,从而获得具有理想特性的薄膜。对基于pecvd技术的硅基薄膜的沉积而言,如果能够深刻揭示其沉积机理,便可以在---材料优良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉积速率。
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具体说来,基于辉光放电方法的pecvd技术,能够使得反应气体在外界电磁场的激励下实现电离形成等离子体。在辉光放电的等离子体中,电子经外电场加速后,其动能通常可达10ev左右,甚至更高,---破坏反应气体分子的化学键,因此,通过高能电子和反应气体分子的非弹性碰撞,就会使气体分子电离离化或者使其分解,产生中性原子和分子生成物。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例,将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过---挑选的管子中,这样装配后即可进行拉丝。正离子受到离子层加速电场的加速与上电极碰撞,放置衬底的下电极附近也存在有一较小的离子层电场,所以衬底也受到某种程度的离子轰击。因而分解产生的中性物依扩散到达管壁和衬底。这些粒子和基团这里把化学上是活性的中性原子和分子物都称之为基团在漂移和扩散的过程中,由于平均自由程很短,所以都会发生离子-分子反应和基团-分子反应等过程。到达衬底并被吸附的化学活性物主要是基团的化学性质都很活泼,由它们之间的相互反应从而形成薄膜。
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