变频器用IGBT测试仪厂家近期行情「华科智源」

3设备的功能特点 1各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。1mj50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。 2具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为-大。 3具有内置的软件，帮助提供自动判断。 4具有方便的历史数据存储及检索功能。

三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广；2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0。 c：脉冲宽度 50us~300us d：vce测量精度2mv e：vce测量范围>10v f：电脑图形显示界面 g：智能保护被测量器件 h：上位机携带数据库功能 i：mos igbt内部二极管压降 j : 一次测试igbt全部静态参数 k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性，可以做失效分析以及故障定位 l:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v；测试工作电压：10kv整体设备满足gb19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求18其他辅件。 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

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