封装用IGBT测试仪批发厂家 华科IGBT静态参数

igbt测试装置技术要求 1设备功能 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的---，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试，在igbt的检测中，采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。3igbt饱和压降/frd正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。

其中：vcc 试验电压源 ±vgg 栅极电压 c1 箝位电容 q1 陪测器件实际起作用的是器件中的续流二极管 l 负载电感 ：100uh、200uh、500uh、1000uh自动切换 ic 集电极电流取样电流传感器 dut 被测器件 关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压vcc值到被测器件的测试要求值一般为被测器件额定电压的1/2，设定±vgg到测试要求值，开关被测器件dut一次，被测器件的开冲持续时间必须---dut完全饱和，同时监测集电极电流ic、栅极-发射极电压vge和集电极-发射极电压vce，记录下被测器件ic、vce以及vge的波形，其中，vce采样到示波器的ch1通道，ic取样到示波器的ch2通道，vge采样到示波器的ch3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。正本、副本技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降小于1v ?当功率元件老化时，元件的内阻在导通时---会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kv(3只串联) ?-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

13被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 dc 50a ?隔离耐压 15kv ?响应时间 150ms ?2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3。工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4mpa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 14工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4μ 15槽上架式机箱； ?支持atx母板； ?cpμ：intel双核； ?主板：研华simb； ?硬盘：1tb；内存4g； ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。 ?西门子plc逻辑控制

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。