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微弧氧化膜层生长时，首先在基体表面发生化学反应，生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时，膜层厚度会进一步增加，厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时，膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿，产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融，基体元素由于处在富氧环境中，将形成氧化物。同时由于是在电解液中，熔融物将瞬间冷凝，在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成，将导致工作电压进一步升高，膜层再次被击穿，膜层厚度进一步增加。周而复始，膜层得以生长。

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微弧氧化膜层中的蛇纹石含量随电流的增加而增加，随频率的增加而降低，随电解液中蛇纹石微纳米颗粒浓度的增加而增加；试验过程中试样与电解槽之间的电场产生的电泳效应，使得在电解液中呈电负性的蛇纹石微纳米颗粒移动到试样表面，在接触到试样表面熔融态的高温氧化物时，蛇纹石微纳米颗粒表面熔化而粘合在试样表面，经电解液冷却复合到了微弧氧化膜层中。

相比moo3，加入钼浓度相同的na2moo4所得膜层耐蚀性-，在添加0.42g/l na2moo4时制得膜层其腐蚀电流密度比无添加剂时的低约7倍，比基体的低约1个数量级。故加入na2moo4的价比更高。

此外，这2种添加剂的加入，均可在az91d镁合金表面制得浅棕色的膜层，起显色作用的物质是moo2。