轨道交通用IGBT测试仪加工可量尺定做「在线咨询」

2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v 1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0.1-10ua±2%±0.01ua 集电极电压vce： 0v 栅极电压vge： 0-40v±3%±0.1v 3集电极-发射极电压 集电极电压vces： 100-5000v±2%±10v 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 4集电极-发射极饱和电压vcesat vcesat：0.2-5v 栅极电压vge： ±15v±2%±0.2v 集电极电流ice： 10-1200a±2%±1a 5集电极-发射极截止电流ices 集电极电压vce： 100-5000v±3% 集电极电流ices： 0.1-5ma±3%±0.01ma 栅极电压vge： 0v 6栅极-发射极阈值电压 vgeth： 1-10v±2%±0.1v vce： 12v 集电极电流ice： 30ma±3% 7二极管压降测试 vf： 0-5v±2%±0.01v if： 0-1200a±2%±1a vge： 0v

三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广；数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。 c：脉冲宽度 50us~300us d：vce测量精度2mv e：vce测量范围>10v f：电脑图形显示界面 g：智能保护被测量器件 h：上位机携带数据库功能 i：mos igbt内部二极管压降 j : 一次测试igbt全部静态参数 k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性，可以做失效分析以及故障定位 l:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

华科智源igbt测试仪制造标准 华科智源igbt测试仪hustec-1200a-mt除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满-下标准的版本。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。 gb/t 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管igbt gb 13869-2008 用电安全导则 gb19517-2004 电器设备安全技术规范 gb 4208-2008 外壳防护等级ip 代码iec 60529：2001，idt gb/t 191-2008 包装储运图示标志 gb/t 15139-1994 电工设备结构总技术条件 gb/t 2423 电工电子产品环境试验 gb/t 3797-2005 电气控制设备 gb/t 4588.3-2002 印制板的设计和使用 gb/t 9969-2008 工业产品使用说明书总则 gb/t 6988-2008 电气技术用文件的编制 gb/t 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 gb/t 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断-时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、关断耗散功率pon：10w～250kw 关断时间测试条件： 1、集电极电压vce：50～100v±3%±1v 100～500v±3%±5v 500v～1000v±3%±10v 2、集电极电流ic：50～100a±3%±1a; 100～500a±3%±2a; 500～1000a±3%±5a;

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