NR9 3000PY光刻胶厂家- 赛米莱德

下游发展趋势

光刻胶的和性能是影响集成电路性能、成品率及-性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。虽然使用更薄的胶层厚度可以-负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。光刻胶材料约占ic制造材料总成本的4%，市场-。因此光刻胶是半导体集成电路制造的-材料。2016年全球半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年全球半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸-技术节点生产线的兴建和多次-工艺的大量应用，193nm及其它-光刻胶的需求量将快速增加

pcb稳定

pcb被誉为电子产品，广泛应用于各个电子终端。2016年，全球pcb市场规模达542.1亿美元。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。国外研究-，pcb市场年复合增长率可达3%，到2020年，pcb全球市场规模将达到610亿美元；中国在2020年pcb产值有望达到311亿美元，在2015-2020年期间，年复合增长率略高于国际市场，为3.5%。得益于pcb行业发展刚需，我国pcb光刻胶需求空间-。

光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。显示器，oleds，波导(waveguides)，vcsels，成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。

在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。