磁控镀膜机价格优惠报价「多图」

磁控方箱生产线介绍

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。　　

主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。　

技术指标：　　-真空度6.7×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s；　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa短时间暴露　　-并充干燥氮气后开始抽气　　

镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜；　　样品基片: 负偏压 -200v　　

样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；　　

可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。

以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多磁控溅射产品的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。

磁控溅射——溅射技术介绍

直流溅射法：直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧-触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。时装装饰领域的应用，比如说各种全反射镀膜以及半透明镀膜，可适用在手机外壳、鼠标等产品上。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法rf。

溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，dc直流和rf射频电源。某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒对于金属是5-10 ev，从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能对于金属是1-6ev，这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。

如需了解更多磁控溅射产品的相关信息，欢迎关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的-电话，我司会为您提供、周到的服务。

磁控溅射介绍

沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售磁控溅射产品，我们公司坚持用户为-，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。

由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。

溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片-甚至发生二次溅射，影响制膜。真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统一名称。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。

磁控溅射系统介绍

想了解更多关于磁控溅射产品的相关，请持续关注本公司。

真空泵和测量装置：

低真空：干泵和convectron真空规

高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规

5.控制系统：

硬件：plc和计算机触摸屏控制

自动和手动沉积控制

主要特点：

射频电源：基底预先清洗和等离子体辅助沉积

温度控制器：基底加热

大面积基底传送装置

冷却系统