检修用IGBT测试仪厂家优惠报价「华科智源」

5、感性负载

5.1 有效电感 l 100 200 500 1000 μh；

5.2 电流 ic 1000 1000 1000 500 a；

外部电感成阵列的内部连接。外部电感的h值传给pc，以计算电流源的---，---脉宽到1000us。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5ω，5ω，10ω等；

6.2 开启trun-on输出电压 vge+ ： +15v；

6.3 关断trun-on输出电压 vge- ： -15v；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us 单脉冲、双脉冲总时间；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5ω；

8高压大功率开关

?电流能力 200a

?隔离耐压 10kv

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20ka不小于10ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4mpa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9尖峰抑制电容

用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。

?电容容量 200μf

?分布电感 小于10nh

?脉冲电流 200a

?工作湿度 <70%

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降小于1v ?浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kv(3只串联) ?功率模块的vce-ic特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降vcesat会逐渐劣化。-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

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