封装用IGBT测试仪价格放心-「华科智源」

如何检测元件有老化的现象？ 半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给---在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。1v 3集电极-发射极电压 集电极电压vces： 100-5000v±2%±10v 集电极电流ices： 0。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会---烧毁或造成性的损坏。

9、系统保护功能

9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来---操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。

9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。

9.4 操作系统带有多级权限。

9.5 系统应配有内置ups，---计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，---系统及数据安全。

10、样品夹具

10.1 有通用测试夹具。

10.2 带有62mm封装测试夹具

10.3 带有econopack3封装测试夹具

10.4 带有34mm封装测试夹具

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

vce

集射极电压 150～3300v 150～500v±3%±1v；

500～1000v±2%±2v；

1000～3300v±1%±5v； 150～3300v

ic

集射极电流 1～200a 1～200a±3%±1a； 1～200a

vge

栅极电压 -30v～30v -30～0v±1%±0.1v；

0～+30v±1%±0.1v -30v～30v

qg

栅极电荷 400~20000nc ig: 0～50a±3%±0.1ma; 400~20000nc

td(on)、td(off)

开通/关断--- 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

eon、eoff

开通/关断能量 1～5000mj 1～50mj±2%±0.1mj；

50～200mj±2%±1mj；

200～1000mj±2%±2mj；

1000～5000mj±1%±5mj；

2.2反向恢复技术条件 测试参数： 1、irr(反向恢复电流)：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、qrr (反向恢复电荷)：1～1000uc 1～50uc±5%±0.1 uc 50～200uc±5%±1 uc 200～1000uc±5%±2 uc 3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mj 0.5～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～200mj±5%±1mj 200～1000mj±5%±2mj 测试条件： 1、正向电流ifm：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、-di/dt测量范围：200～10000a/us 3、反向关断峰值电压vrrpk：200～1000v±3%±2v 4、dv/dt测量范围：100～10000v/us

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