娄底二极管肖特基给您好的建议「多图」

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肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200v。

由于sbd的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于sbd比pn结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比pn结二极管。

sbd的结构及特点使其适合于在低压、da电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如x波段、c波段、s波段和ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在ic中也常使用sbd，像sbd?ttl集成电路早已成为ttl电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

什么是肖特基二极管？有何特点意义？

sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，仅约100v，以致于---了其应用范围。像在开关电源smps和功率因数校正pfc电路---率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管fred和超快速恢复二极管ufrd。目前ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，---不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温---，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的---。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。