检修用IGBT测试仪加工在线咨询「华科智源」

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、 gto等各型闸流体与二极管(di ode)等，其工作电流与电压乘积若大于1kw以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220vac ±10% ，50hz/60hz 20a rms；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试igbt模块及frd；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% 相对湿度

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 vcc： 50 ~ 1000v；

4.2 集电极电流 ic： 50 ~ 1000a 感性负载；

4.3 电流持续时间 it： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： vcc，ic, 电感值自动计算脉宽；

4.6 双电流脉冲的设置： vcc, ic, 电感值，间隙时间10到50us(脉宽自动计算)；

开启qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us；

4.7 设备寄生电感 lint: < 65nh感性动态测试。

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

vce

集射极电压 150～3300v 150～500v±3%±1v；

500～1000v±2%±2v；

1000～3300v±1%±5v； 150～3300v

ic

集射极电流 1～200a 1～200a±3%±1a； 1～200a

vge

栅极电压 -30v～30v -30～0v±1%±0.1v；

0～+30v±1%±0.1v -30v～30v

qg

栅极电荷 400~20000nc ig: 0～50a±3%±0.1ma; 400~20000nc

td(on)、td(off)

开通/关断- 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

eon、eoff

开通/关断能量 1～5000mj 1～50mj±2%±0.1mj；

50～200mj±2%±1mj；

200～1000mj±2%±2mj；

1000～5000mj±1%±5mj；

14工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4μ 15槽上架式机箱；

?支持atx母板；

?cpμ：intel双核；

?主板：研华simb；

?硬盘：1tb；内存4g；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。

?西门子plc逻辑控制

15数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：ni数据采集卡

?上位机：基于labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为excel文件及其他用户需要的任何数据格式，-是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

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