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双室磁控溅射系统

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设备简介

主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；1-10pa的气或其它惰性气体，在阴极靶1-3kv直流负高压或13。另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到---地保障。 目前该系列有基本型、---型、---型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只φ2英寸永磁靶，4台500w直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。

磁控溅射的工作原理

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磁控溅射的工作原理是指电子在电场e的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生e电场×b磁场所指的方向漂移，简称e×b漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场e的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。如需了解更多磁控溅射产品的相关信息，欢迎关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的---电话，我司会为您提供、周到的服务。

磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。

溅射镀膜

溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10pa的气或其它惰性气体，在阴极靶1-3kv直流负高压或13.56mhz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。系统组成:主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

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直流磁控溅射技术的原理

沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售磁控溅射产品，我们公司坚持用户为---，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。

直流磁控溅射技术其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上---薄膜的。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。