检修用IGBT测试仪价格全国发货「华科智源」

现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流，在市场上居于--。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发-在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。

测试的igbt参数包括：ices漏流、bvces耐压、igesf正向门极漏流、igesr反向门极漏流、vgeth门槛电压／阈值、vgeon通态门极电压、vcesat饱和压降、icon通态集极漏流、vf二极管压降、gfs跨导、rce导通电阻等全直流参数, 所有小电流指标-1%重复测试精度, 大电流指标-2%以内重复测试精度。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。1v -30v～30vqg栅极电荷 400~20000nc ig:0～50a±3%±0。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2kv。

参数名称 符号 参数名称 符号

开通-时间 td(on) 关断-时间 td(off)

上升时间 tr 下降时间 tf

开通时间 ton 关断时间 toff

开通损耗 eon 关断损耗 eoff

栅极电荷 qg

短路电流 isc / /

可测量的frd动态参数

反向恢复电流 irm 反向恢复电荷 qrr

反向恢复时间 trr 反向恢复损耗 erec

13被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 dc 50a ?隔离耐压 15kv ?响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4mpa ?工作温度 室温～40℃ ?华科智源igbt测试仪制造标准 华科智源igbt测试仪hustec-1200a-mt除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满-下标准的版本。工作湿度 <70% 14工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4μ 15槽上架式机箱； ?支持atx母板； ?cpμ：intel双核； ?主板：研华simb； ?硬盘：1tb；内存4g； ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。 ?西门子plc逻辑控制

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