封装用IGBT测试仪批发多重优惠「华科智源」

华科智源igbt电参数测试仪，可用于多种封装形式的igbt的测试，还可以测量大功率二极管、igbt模块、大功率igbt、大功率双极型晶体管等器件的vi特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的igbt来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的-企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，---业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及smt首件检测仪，mos管直流参数测试仪，mos管动态参数测试仪，igbt动态参数测试系统，igbt静态参数测试仪，在线式检修用igbt测试仪，变频器检修用igbt测试仪，igbt模块测试仪，轨道交通检修用igbt测试仪，风力发电检修用igbt测试仪。三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广。

2.2反向恢复技术条件 测试参数： 1、irr(反向恢复电流)：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、qrr (反向恢复电荷)：1～1000uc 1～50uc±5%±0.1 uc 50～200uc±5%±1 uc 200～1000uc±5%±2 uc 3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mj 0.5～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～200mj±5%±1mj 200～1000mj±5%±2mj 测试条件： 1、正向电流ifm：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、-di/dt测量范围：200～10000a/us 3、反向关断峰值电压vrrpk：200～1000v±3%±2v 4、dv/dt测量范围：100～10000v/us

3.1开通时间ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：vcc 试验电压源 ±vgg 栅极电压 c1 箝位电容 q1 陪测器件实际起作用的是器件中的续流二极管 l 负载电感 ：100uh、200uh、500uh、1000uh自动切换 ic 集电极电流取样电流传感器 dut 被测器件 开通时间定义见下图：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流ic上升到10%的时间间隔为开通---时间td on ，集电极电流ic上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td on+tr

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