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活性炭有大量的小孔洞，能吸附一些可溶性的胶体和大分子有机物，在一定程度上净化水质，但不能除去所有杂质，如盐等离子就不能除去

活性炭是一种黑---状，粒状或丸状或无定形具有多孔的碳。主要成分为碳，还含少量氧、氢、硫、氮、氯。其主要有木材、果壳、煤等经过高温活化而成。碳元素是自然界稳定的元素，活性炭亦有这一特点。活性炭内孔隙结构发达，具有较大的表面积(500～1000米2/克)，甚至更高，有很强的物理吸附性能，能吸附气体、液体或胶态固体；对于气体、液体，吸附物质的可接近于活性炭本身的。其吸附作用具有选择性，非极性物质比极性物质更易于吸附。在同一系列物质中，沸点越高的物质越容易被吸附，压强越大、温度越低、浓度越大，吸附量越大。反之，减压、升温有利于气体的解吸。

活性炭常用于气体的吸附、分离和提纯、溶剂的回收，糖液、油脂、甘油、的脱色剂，饮用水及冰箱的除臭剂，防毒---中的滤毒剂、空气净化，还可用作催化剂或金属盐催化剂的载体等。

第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率---下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合sic器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。

讨论

通过试验可得，碳化硅涂层越薄，吸波能力越低；涂层中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。当涂层厚度与碳化硅含量达到标准时，涂层可承受 250℃高温。在 150℃环境中，厚度为 1mm 的碳化硅涂层吸收强度保持在 20db 左右。

通过对比分析可知，碳化硅涂层的适吸波能力为1mm，碳化硅涂层的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂层。随着碳化硅涂层厚度的减小，涂层吸收峰的峰位逐渐转为高频。

在一定范围内，吸收峰的峰位变化与碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，则吸收峰峰位向高频移动。相反，涂层厚度与吸收峰的峰位成反比，厚度增加，则吸收峰峰位移向低频段。当涂层厚度 1mm 时，碳化硅涂层的吸波性能佳。