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轰击离子束刻蚀机安装在线咨询 北京创世威纳
对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用cl2或sf6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用cl2/sf6或sicl4/cl2；刻蚀sio2的腐蚀气体可用chf3或cf4/h2；刻蚀si3n4的腐蚀气体可用cf4/o2、sf6/o2或ch2f2/chf3/o2；刻蚀al或al-si-cu合金的腐蚀气体可用cl2、bcl3或sicl4；刻蚀w的腐蚀气体可用sf6或cf4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如cf4、cf4+ h2、chf3 等。我们选用chf3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：chf3 + e——chf+2 + f (游离基) + 2e，sio 2 + 4f sif4 (气体) + o 2 (气体)。sio 2 分解出来的氧离子在高压下与chf+2 基团反应， 生成co ↑、co 2↑、h2o ↑、o f↑等多种挥发性气体 [3] 。
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离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件，将工件上的材料溅射出来，实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率较高、陡直性较好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如cu、au、pt、ti、ni、nicr等。
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1.蚀刻加工：离子蚀刻用于加工陀螺仪空气轴承和动压马达上的沟槽，分辨率高，精度、重复一致性好。离子束蚀刻应用的另一个方面是蚀刻-图形，如集成电路、光电器件和光集成器件等征电子学构件。太阳能电池表-有非反射纹理表面。离子束蚀刻还应用于减薄材料，制作穿透式电子显微镜试片。2.离子束镀膜加工：离子束镀膜加工有溅射沉积和离子镀两种形式。离子镀可镀材料范围广泛，不论金属、非金属表面上均可镀制金属或非金属薄膜，各种合金、化合物、或某些合成材料、半导体材料、高熔点材料亦均可镀覆。
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