氧化锌ZNO晶体信息「在线咨询」

氧化锌zno半导体室温带隙为3.37ev,且束缚激子能---60mev,使其在紫外半导体光电器件方---有很大潜在应用价值。---的应用前景和制备难度使得zno晶体的生长技术成为材料研究的-。众所周知氧化锌zno作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方---有广阔的应用前景。

氧化锌zno单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌zno与gan的晶格失配度---小，是gan外延生长理想的衬底材料。同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量---器、大直径高的gan的衬底、未来的5ghz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。

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