考夫曼平行型离子源RFICP220辅助DCDC混合电路生产

在 dc/dc 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节.


某大型工厂在生产过程中采用 kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp220 辅助 dc/dc 混合电路生产, 其主要目的是：

1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等

2. 物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等



伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

portant;"> 离子源型号

portant;"> rficp220

portant;"> discharge

portant;"> rficp 射频

portant;"> 离子束流

portant;"> >800 ma

portant;"> 离子动能

portant;"> 100-1200 v

portant;"> 栅极直径

portant;"> 20 cm φ

portant;"> 离子束

portant;"> ---, 平行, 散射

portant;"> 流量

portant;"> 10-40 sccm

portant;"> 通气

portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;"> 典型压力

portant;"> < 0.5m torr

portant;"> 长度

portant;"> 30 cm

portant;"> 直径

portant;"> 41 cm

portant;"> 中和器

portant;"> lfn 2000



客户存在的问题:

客户的背银芯片很容易发生银的及氧化,将直接影响芯片的贴装.被或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题.



解决方案:

客户采用 kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp220 产生的离子束清洗芯片背面



运行结果:

1. kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp220 有效去除背银芯片银及氧化银, ---了芯片贴装

2. 可有效提高 dc/dc 混合电路组装及---性











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