考夫曼射频离子源 RFICP 140 用于镀制 TIN 薄膜

传统磁控溅射制备工艺存在一个---的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能.


为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 kri 考夫曼---型射频离子源 rficp 140 用于磁控溅射镀制 tin 薄膜.



伯东 kri 射频离子源 rficp 140 技术参数:

portant;">; 型号

portant;">; rficp 140

portant;">; discharge

portant;">; rficp 射频

portant;">; 离子束流

portant;">; >;600 ma

portant;">; 离子动能

portant;">; 100-1200 v

portant;">; 栅极直径

portant;">; 14 cm φ

portant;">; 离子束

portant;">; ---

portant;">; 流量

portant;">; 5-30 sccm

portant;">; 通气

portant;">; ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;">; 典型压力

portant;">; < 0.5m torr

portant;">; 长度

portant;">; 24.6 cm

portant;">; 直径

portant;">; 24.6 cm

portant;">; 中和器

portant;">; lfn 2000



客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 p 型(100)晶向硅片上制备tin纳米薄膜.



理由:

---型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染



运行结果：

1. 通过kri 考夫曼---型射频离子源 rficp 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.

2. 减少结构缺陷

3. 提高耐蚀性能










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