考夫曼射频离子源RFICP380成功用于多靶磁控溅射镀膜机

某 oem 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp380, 清洗源采用 kri 霍尔离子源 gridless eh 3000, 真空腔体搭配的是伯东 pfeiffer 涡轮分子泵 hipace 2300.


kri 射频离子源 rficp380 技术参数:

射频离子源型号

rficp380

discharge 阳极

射频 rficp

离子束流

>1500 ma

离子动能

100-1200 v

栅极直径

30 cm φ

离子束

---, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

典型压力

< 0.5m torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

lfn 2000




采用多靶磁控溅射镀膜机在 uo_2 陶瓷 ifba 芯块表面上溅射沉积 zrb_2 涂层，与其他未引用 kri 离子源和 pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 kri 离子源和 pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 zrb_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度均匀, 晶粒细小, 沉积率更高.镀膜机实际运用案例：



kri 离子源的---功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



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